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ITO膜硅片四探针电阻率测试仪

ITO膜硅片四探针电阻率测试仪

简要描述:ITO膜硅片四探针电阻率测试仪使用的周围环境条件
。易燃易爆空气环境 。不稳定的工作台面.
。阳光直射的地方. 。潮湿的地方.
。腐蚀性的空气环境. 。空气污染灰尘重.

更新时间:2024-04-01

产品型号:BEST-300C

厂商性质:生产厂家

访问量:94

产品详情
品牌北广精仪产地类别国产
类型数字式电阻测试仪应用领域能源,电子,交通,汽车,电气

ITO膜硅片四探针电阻率测试仪方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量,但其测量


准确度尚未评估。

使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外

探件,测量两内操针之间的电位差,引人与试样几何形软有

关的修正因子,计算出薄层电阻。覆盖膜;导电高分子膜,高、低温电热膜;隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.

双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.

双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

概述:采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门,实验室;是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示,温度补偿功能,自动量程,自动测量电阻,电阻率,电导率数据。恒流源输出;选配:PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器,薄膜按键操作简单,中文或英文两种语言界面选择,电位差计和电流计或数字电压表,量程为1mV¯100mV,

分辨率为0.1%,直流输入阻抗不小

250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的

圆截面。

探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之

间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距,四探针应以

等距离直线排列,探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中

的规定。

R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R; +R,)

计算试样平均直径D与平均操针间距S之比,由表3中

查出修正因子F,也可以见GB/T11073中规定的几何修正因

子。 9.4计算几何修正因子F,见式(4)。

对于薄层厚度小于3μm的试样,选用针尖半径为100

μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平

头探针,针尖与试样间压力为0.3 N¯0.8Ni对于薄层厚度不

小于3μ的试样,选用针尖半径为35μm100 pm 半球形

操针,针尖与试样间压力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表,能指示阻值高达10°日的漏电阻,温度针

0℃-40℃,小刻度为0.1℃。

光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影

响测试结果,

甲醇、99.5%,干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具

有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针,针实半径分别为35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

电压表输入阻抗会引入测试误差,硅片几何形状,表

面粘污等会影响测试结果,

R(TD-R_xF式中:

计算每一测量位置的平均电阻R.,见式(3).

试剂优级纯,纯水,25℃时电阻率大于2MN.cm,

s=号(二[R,(TD-瓦(7D羽yt ..

计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄

层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃,具体见表4)

见式(5).

用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上,试样放置

的时间应足够长,到达热平衡时,试样温度为23 ℃±1℃.

接通电流,令其任一方向为正向,调节电流大小见表1测量范围

    电阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm

    方  阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□

    电  阻:1×10-5~2×105 Ω   ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω

3.2  材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直    径:A圆测试台直接测试方式 Φ15~130mm,   方测试台直接测试方式180mm×180mm,    长(高)度:测试台直接测试方式 H≤100mm,        测量方位: 轴向、径向均可

3.3.  4-1/2 位数字电压表:

    (1)量程: 20.00mV~2000mV

    (2)误差:±0.1%读数±2 字

3.4  数控恒流源

   (1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA,1A

   (2)误差:±0.1%读数±2 字

所给出的某一合适值,测量并记录所得数据,所有测试数据

至少应取三位有效数字。改变电流方向,测量、记录数据。

关断电流,抢起探针装置,对仲裁测量,探针间距为1.59

ITO膜硅片四探针电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.

双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。

标准要求:

该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。

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