300C低电阻及电阻率测试仪

300C低电阻及电阻率测试仪采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.

双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。

300C低电阻及电阻率测试仪满足标准：

1.硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

参数资料1.方块电阻范围：10-6～2×106Ω/□2.电阻率范围：10-7～2×103Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA，1μA，10μA，100µA.4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率.7.测试方式: 双电测量8.工作电源:输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗 lt;30W9.整机不确定性误差:≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 2.方形探头； 3.直线形探头； 4.测试平台11.测试探头：  探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格; 探针材质选购：碳化钨针;白钢针；镀金磷铜半球形针

参数parameters

1.电阻率/ resistivity： 10-8～2×106ω-cm

2.电阻/ resistance： 10-8～2×106ω

3.电导率/ conductivity：5 ×10-6～108s/cm

4.分辨率：0.1μω/resolution: minimum 0.1μω

5.测量误差±（0.05%读数±5字）/ accuracy ±0.05%

6.测量电压量程/ measuring voltage range：2mv 20mv 200mv 2v

7.测量精度±（0.1%读数）/ measuring accuracy ±0.1%

8.分辨率/resolution： 0.1uv 1uv 10uv 100uv

9.电流输出：直流电流0～1000ma可调，输入220v。

current output: dc current 0～1000ma adjustable. input 220v.

10.量程/range：1μa，10μa，100μa，1ma，10ma，1000ma.

11.误差：±0.2%读数±2字/accuracy ±0.2%

12.测试治具：电缆导电层直径：10mm-40mm

该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。广泛用于：覆盖膜;导电高分子膜，高、低温电热膜;隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻  半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等