双电测电四探针电阻率/方阻测试仪

双电测电四探针电阻率/方阻测试仪采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.

双电测电四探针电阻率/方阻测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。

采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：pc软件进行数据管理和处理.

双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国a.s.t.m标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用了四探针双电测组合(亦称双位组合)测量新技术,将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上,利用电流探针、电压探针的变换，在计算机控制下进行两次电测量，能自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响。因而每次测量不必知道探针间距、样品尺寸及探针在样品表面上的位置。由于每次测量都是对几何因素的影响进行动态的自动修正，因此显著降低了几何因素影响，从而提高了测量结果的准确度。所有这些，用目前大量使用的常规四探针测量方法所生产的仪器是无法实现的。

满足标准：

1.硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

功能描述

1. 四探针组合双电测量方法
2. 液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.
3. 高集成电路系统、恒流输出.
4. 选配：PC软件进行数据管理和处理.
5. 提供中文或英文两种语言操作界面选择
6. 适用范围：覆盖膜;导电高分子膜，高、低温电热膜;隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试
7. 硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻  半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，
8. EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率  导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，
9. 抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等，

技术参数

1、电阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

电   阻：1×10-5～2×105Ω

电导率：5×10-6～1×108ms/cm

分辨率：  小1μΩ
测量误差±5%
2、测量电压量程： 2mV   20mV  200mV 2V 
   测量精度±（0.1%读数）

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
3、⑴电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。
   ⑵量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA, 
   ⑶误差：±0.2%读数±2字

4. 主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm

5、显示方式：液晶显示6、电源：220±10% 50HZ/60HZ

7、标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。