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聚酯薄膜介质损耗测试仪

聚酯薄膜介质损耗测试仪

简要描述:聚酯薄膜介质损耗测试仪主要测试材料:
1 绝缘导热硅胶,石英晶玻璃,陶瓷片,薄膜,OCA光学胶,环氧树脂材料,塑料材料,FR4 PCB板材, PA尼龙/涤纶,PE聚乙烯,PTFE聚四氟乙烯,PS聚苯乙烯,PC聚碳酸旨,PVC,PMMA等

更新时间:2022-10-31

产品型号:GDAT-A

厂商性质:生产厂家

访问量:92

产品详情
品牌北广精仪价格区间1万-2万
产地类别国产应用领域化工,生物产业,能源,电气,综合

聚酯薄膜介质损耗测试仪

156931149939218.png

信号源范围DDS数字合成信号

10KHZ-70MHz

10KHZ-110MHz

100KHZ-160MHz

信号源频率覆盖比

7000:1

11000:1

16000:1

信号源频率精度 6位有效数

3×10-5 ±1个字  

3×10-5 ±1个字   

3×10-5 ±1个字   

采样精度

11BIT

11BIT

12BIT

高精度的AD采样,了Q值的稳定性,以及低介质损耗材料测试时候的稳定性

Q测量范围

1-1000自动/手动量程

1-1000自动/手动量程

1-1000自动/手动量程

Q分辨率

4位有效数,分辨率0.1

4位有效数,分辨率0.1

4位有效数,分辨率0.1

Q测量工作误差

<5%

<5%

<5%

电感测量范围 4位有效数,分辨率0.1nH

1nH-8.4H ,分辨率0.1nH

1nH-8.4H 分辨率0.1nH

1nH-140mH分辨率0.1nH

电感测量误差

<3%

<3%

<3%

调谐电容

主电容30-540pF

主电容30-540pF

主电容17-240pF

电容直接测量范围

1pF~2.5uF

1pF~2.5uF

1pF~25nF

调谐电容误差

分辨率

±1pF或<1%

0.1pF

±1pF或<1%

0.1pF

±1pF或<1%

0.1pF

谐振点搜索

自动扫描

自动扫描

自动扫描

Q合格预置范围 

5-1000声光提示

5-1000声光提示

5-1000声光提示

Q量程切换

自动/手动

自动/手动

自动/手动

LCD显示参数

F,L,C,Q,Lt,Ct波段等

F,L,C,Q,Lt,Ct波段等

F,L,C,Q,Lt,Ct波段等

自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能()

大电容值直接测量显示功能()

测量值可达2.5uF

测量值可达2.5uF

测量值可达25nF

介质损耗系数

精度 万分之三

精度 万分之三

精度 万分之一

介损系数

万分之一

万分之一

万分之一

介电常数

精度 千分之一

精度 千分之一

精度 千分之一

材料测试厚度

0.1mm-10mm

0.1mm-10mm

0.1mm-10mm

聚酯薄膜介质损耗测试仪由S916测试装置(夹具)、QBG-3E/QBG-3F/AS2853A型高频Q表、数据采集和tanδ自动测量控件(装入QBG-3E/QBG-3F或AS2853A的软件模块)、及LKI-1型电感器组成。依据国标GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美标ASTM D150以及国际电工委员会IEC60250的规定设计制作。系统提供了绝缘材料的高频介质损耗角正切值(tanδ)和介电常数(ε)自动测量的解决方案。本仪器中测试装置是由平板电容器组成,平板电容器一般用来夹被测样品,配用Q表作为指示仪器。绝缘材料的损耗角正切值是通过被测样品放入平板电容器和不放样品的Q值变化和厚度的刻度读数通过公式计算得到。使用QBG-3E或AS2853A数字Q表具有自动计算介电常数(ε)和介质损耗(tanδ)。

定义:

  这些试验方法所用术语定义以及电绝缘材料相关术语定义见术语标准D1711。

  本标准专用术语定义:

  电容,C,名词——当导体之间存在电势差时,导体和电介质系统允许储存电分离电荷的性能。

  讨论——电容是指电流电量 q与电位差V之间的比值。电容值总是正值。当电量采用库伦为单位,电位采用伏特为单位时,电容单位为法拉,即:

  C=q/V (1)

  耗散因子(D),(损耗角正切),(tanδ),名词——是指损耗指数(K'')与相对电容率(K')之间的比值,它还等于其损耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值。

  D=K''/K' (2)

  3.2.2.1 讨论——a:

  D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)

  式中:

  G=等效交流电导,

  Xp=并联电抗,

  Rp=等效交流并联电阻,

  Cp=并联电容,

  ω=2πf(假设为正弦波形状)

  耗散因子的倒数为品质因子Q,有时成为储能因子。对于串联和并联模型,电容器耗散因子D都是相同的,按如下表示为:

  D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)

  串联和并联部分之间的关系满足以下要求:

  Cp=Cs/(1 D2) (5)

  Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)

介质损耗测试系统主要性能参数一览表.png


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